今天给各位分享pn结被击穿是什么原因的知识，其中也会对pn结的击穿电压是多少进行解释，如果能碰巧解决你现在面临的问题，别忘了关注本站，现在开始吧！

本文目录一览：

• 1、三极管击穿的原因
• 2、pn结有哪几种击穿,个自的机理及击穿曲线的特点
• 3、半导体二极管极其电路:解释雪崩击穿、齐纳击穿、热击穿形成的原因...
• 4、pn结击穿物理知识
• 5、三极管击穿原因
• 6、二极管击穿是什么原因

三极管击穿的原因

1、发射结工作在正向偏置，集电结工作在反向偏置，当集电结上的反向电压超过其能够承受的反向电压时，该电压就会将集电结形成的电子阻档层击穿，导致三极管损坏。

2、否则导致管子击穿。其三集电极最大允许耗散功率PM，由于集电极电流在集电极产生热量，使结温升高，超过这一功耗，晶体管可能损坏。

3、引起发射极击穿的原因，只有负偏压较高这一种。对NPN型管来讲，当晶体管处于放大工作时，晶体管的发射极-基极之间，应该是正偏（基极电位高于发射极），如果出现基极电位比发射极低，我们就会认为，此晶体管“反偏了”。

4、三极管击穿分为高压击穿和热击穿等，三极管PN结、CE之间正反向都有一定的耐压值，超过其耐压值，三极管被击穿（短路或断路）；三极管还有最高工作温度，当工作温度高于此值时，发生热击穿。

5、基极电流过大，三极管会击穿的原因是：集电极电流是基极的β倍，β=50。因为基极电流增大，那么集电极电流也会瞬间50倍的增大，使得PN结承压也瞬间增大，三极管就会被击穿。基极是半导体三极管的电极。

pn结有哪几种击穿,个自的机理及击穿曲线的特点

有两种，雪崩击穿和齐纳击穿 雪崩击穿：当PN结反向电压增加时，空间电荷区中的电场随着增强。

在 PN结两边掺杂浓度为固定值的条件下，一般认为除 super junction 之外平行平面结的击穿电压在所有平面结中具有最高的击穿电压。

pn结的击穿从机理上可分为雪崩击穿、隧道击穿和热电击穿三类。前两者一般不是破坏性的，如果立即降低反向电压，pn结的性能可以恢复；如果不立即降低电压，pn结就遭到破坏。

PN结击穿有齐纳击穿、雪崩击穿及热击穿。齐纳击穿和雪崩击穿都是电击穿，电压降低后PN结完好如初。齐纳击穿很好的用途就是稳压，雪崩击穿通常用于白噪声源。

雪崩击穿发生在掺杂浓度较低的PN结中，阻挡层宽，碰撞电离的机会较多，雪崩击穿的击穿电压高。齐纳击穿：齐纳击穿通常发生在掺杂浓度很高的PN结内。

PN结的击穿特性 如图所示，当加在PN结上的反向电压增加到一定数值时，反向电流突然急剧增大，PN结产生电击穿一这就是PN结的击穿特性。

半导体二极管极其电路:解释雪崩击穿、齐纳击穿、热击穿形成的原因...

1、解由于雪崩击穿和齐纳击穿。原因：二极管内部存在PN结，在测量其特性时，如果加在PN结上的反向电压增大到一定数值时，反向电流会突然增加，这就是反向击穿，其原因是：当PN结反向电压增加时，空间电荷区中的电场随着增强。

2、电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被永久破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。

3、雪崩击穿：新产生的载流子在电场作用下撞出其他价电子，产生新的自由电子和空穴对。由于这种连锁反应，势垒层中载流子的数量急剧增加，流过PN结的电流急剧增加。这种碰撞电离导致的击穿称为雪崩击穿。

4、，电压击穿：反向电压超过它的耐压值。2，电流击穿：工作电流超过它的额定最大电流，发热击穿。3，齐纳击穿：内部共价键晶状结构破坏，又称“雪崩击穿。

5、雪崩击穿和齐纳击穿的作用：雪崩击穿的具体作用：材料掺杂浓度较低的PN结中，当PN结反向电压增加时，空间电荷区中的电场随着增强。这样通过空间电荷区的电子和空穴，就会在电场作用下，使获得的能量增大。

pn结击穿物理知识

pn结击穿：随外加反向电压增加，使pn结内部电场过强，破坏共价键而把电子强行拉出，产生大量的电子空穴对，使少数载流子急剧上升而击穿，这种情况称齐纳击穿。

在 PN结两边掺杂浓度为固定值的条件下，一般认为除 super junction 之外平行平面结的击穿电压在所有平面结中具有最高的击穿电压。

齐纳击穿：在加有较高的反向电压下，PN结空间电荷区中存一个强电场，它能够破坏共价键，将束缚电子分离出来产生电子–空穴对，形成较大的反向电流。

P型半导体空穴多，容易吸引电子但原子核电荷不够，会形成负电荷。N型半导体电子多，电子容易逃跑且原子核电荷太多，会形成正电荷。

正向偏置击穿（Zener效应）：当正向电压超过某个临界值时，pn结会发生反向击穿现象，此时可以使用Zener二极管模型来描述该现象。其击穿电压Vz一般通过实验测量得到，通常在数据手册中给出。

PN结加反向电压时 ，空间电荷区变宽 ， 区中电场增强。反向电压增大到一定程度时，反向电流将突然增大。如果外电路不能限制电流，则电流会大到将PN结烧毁。反向电流突然增大时的电压称击穿电压。

三极管击穿原因

发射结工作在正向偏置，集电结工作在反向偏置，当集电结上的反向电压超过其能够承受的反向电压时，该电压就会将集电结形成的电子阻档层击穿，导致三极管损坏。

否则导致管子击穿。其三集电极最大允许耗散功率PM，由于集电极电流在集电极产生热量，使结温升高，超过这一功耗，晶体管可能损坏。

引起发射极击穿的原因，只有负偏压较高这一种。对NPN型管来讲，当晶体管处于放大工作时，晶体管的发射极-基极之间，应该是正偏（基极电位高于发射极），如果出现基极电位比发射极低，我们就会认为，此晶体管“反偏了”。

二极管击穿是什么原因

1、解由于雪崩击穿和齐纳击穿。原因：二极管内部存在PN结，在测量其特性时，如果加在PN结上的反向电压增大到一定数值时，反向电流会突然增加，这就是反向击穿，其原因是：当PN结反向电压增加时，空间电荷区中的电场随着增强。

2、当二极管两端的反向电压增大到某一数值，反向电流会急剧增大，二极管将失去单方向导电特性，这种状态称为二极管的击穿。电击穿时二极管失去单向导电性。

3、二极管损坏通常有三个原因：电压过高，超过二极管反向击穿电压，被击穿。电流过大，二极管电流会超过额定电流很长时间。低频二极管用于高频电路，导致二极管过热和燃烧。

4、击穿就是二极管两端的反向电压增大到某一数值，反向电流会急剧增大，二极管将失去单方向导电特性，这种状态称为二极管的击穿。

5、整流桥四个二极管全击穿：负载侧短路（滤波电容短路，直流用电器短路）而且整流桥直流输出端和整流桥交流流输入端没有安装保险丝或断路器。负载侧电流过大，已经超过二极管的额定电流，造成二极管过热烧毁。

关于pn结被击穿是什么原因和pn结的击穿电压是多少的介绍到此就结束了，不知道你从中找到你需要的信息了吗 ？如果你还想了解更多这方面的信息，记得收藏关注本站。