晶振负载电容大小有什么影响：晶振的负载电容和匹配电容
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单片机负载电容过大或者过小,对单片机有什么影响?
1、（2）C值偏大虽有利于振荡器的安稳，但将会增加起振时间。（3）：应使C2值大于C1值，这么可使上电时，加快晶振起振。晶振的起振原因分析 在石英晶体谐振器和陶瓷谐振器的运用中，就需要留心负载电容的选择。
2、电容大一些没有关系，在这里电容大一些上电复位的时间会长一些。但是需要注意的是漏电不能大，漏电太大会造成复位引脚电压不确定的效果。那个下拉电阻小一些也是可以的。临时试验还可以三个33uF串联就会得到10uF电容的效果。
3、一般12M的晶振配两个30pF左右的电容，稍微偏差一些也不要紧，但不要太大，不然会影响晶振的工作。
4、实际接电容比晶体的标称电容小，输出的频率就比晶体标称的频率要偏高（晶体负载电容对晶体频率起微调作用），所以最终还是要看芯片所要求的这实际频率，C1，C2对晶体的起振没多大影响，但对输出频率会有差别。
晶振的负载电容这个参数重要吗?
这个好像没有固定的计算方法，大多靠经验来选择，无源晶振的匹配电容一般最好选择两个不等值的电容，一大一小可以加快起振。在许可范围内尽量选小一些的电容，大些的电容虽有利于振荡的稳定，但会增加起振时间。
晶振的电路频率主要是有晶振自身决定，既然负载电容参与电路振荡，肯定会对频率多少起到微调作用。负载电容值越小，振荡电路就会反而越高。
晶振的标称值在测试时有一个“负载电容”的条件，在工作时满足这个条件，振荡频率才与标称值一致，也就是说，只有连接合适的电容才能满足晶振的起振要求，晶振才能正常工作。希望对你有所帮助。
单片机晶振电路中接在晶振旁的两个电容叫负载电容，它的作用是负载频率不同决定振荡器的振荡频率不同。标称频率相同的晶振，负载电容不一定相同。
结论：晶振电路上的两个电容可以不相等，通过微调电容的值可以微调晶振的振荡频率，不过如果你测了几片晶振，频率有大有小，而且偏移较大，那么这个晶振就是不合格的。
晶振的负载电容对晶振频点的大小有什么影响
1、结论：晶振电路上的两个电容可以不相等，通过微调电容的值可以微调晶振的振荡频率，不过如果你测了几片晶振，频率有大有小，而且偏移较大，那么这个晶振就是不合格的。
2、同种频率情况下，负载电容越小，频率误差（即常温频差）相对越大。对于高频小负载的产品，这种现象尤为明显。
3、晶振的电路频率主要是有晶振自身决定，既然负载电容参与电路振荡，肯定会对频率多少起到微调作用。负载电容值越小，振荡电路就会反而越高。
4、晶振的负载不能确认的话，电容很难匹配，起振电容无法充电放电，晶振也就起振不了；当分布电容与晶振电容值是相等时，就可以让晶振发出谐振频率了。电容大小能影响晶振频率的稳定度和相位，越小价格也会越高。
5、晶振和普通的振荡器起振原理一样，要满足：1增益足够大；2正反馈回路；3相位2npai；晶体的负载电容要和振荡电路匹配，只有负载电容和振荡电路的等效负载电容相等时，振荡电路输出的频率才和晶体频率一致。
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