晶振的外挂电容怎么计算:晶振外接电容如何选值
本篇文章给大家谈谈晶振的外挂电容怎么计算,以及晶振外接电容如何选值对应的知识点,希望对各位有所帮助,不要忘了收藏本站喔。
本文目录一览:
- 1、晶振要配多大的电容比较合适?
- 2、无源晶振的匹配电容电阻有没有计算公式,我用的是4.096MHz的,最好给...
- 3、单片机的外部晶振电路是怎么回事,如何计算所选电容的
- 4、晶振的负载电容是怎么计算出来的,有算法的过程吗?
晶振要配多大的电容比较合适?
K的晶振常规的负载电容是15PF的,也可以指定的。
像有的103是5-25以上,电容是是有计算步骤的,虽然22pf用的可能比较多,你看看你的是什么型号然后去找对应的原理图做参考。stm32有很多种,是有区别的。
比较普遍的都是用30PF,高频瓷片电容15到30均可,主要是稳定波形,耐压高于电源电压就可以。
正常情况下你的电容应该配到20PF左右配晶振15PF ,但是因为像32。768K的产品生产厂家的标准基本上都是不一样的,所以都会存在一定的偏差。另外说你的R52电阻的选择,一般KHZ级的都是用1M,MHZ级别的用10M。
一般选择晶振的电容值要比引脚杂散电容高8~10倍,来减少杂散电容影响。 一般IC引脚杂散电容2~3pF,所以应该选择16~30PF的电容比较合适。晶振大小其实影响不大。我们一般选择27P电容。
等效输入电容,则两个 22p 的电容构成晶振的振荡电路就是比较好的 选择。
无源晶振的匹配电容电阻有没有计算公式,我用的是4.096MHz的,最好给...
1、无源晶振的负载电容,其实也是匹配电容,所以,要根据晶振上给出的电容来匹配就可以了。一个12M晶振的负载电容为15PF,那么在匹配15PF的电容是,晶振输出的才是12M。
2、反之,负载电容越小,晶振谐振电阻越大,电路越不容易起振。当然最理想的环境是不加负载电容,晶振直接工作在自身的谐振频率上。
3、无源晶振:无源晶振有2个无极性的引脚,是有加上匹配电容才可以起振。
4、电路结构与无源晶振不匹配会导致产生频率不够稳定、停止起振或振荡不稳定等问题。解决晶振不起振至少要对以下三个要素:对振荡频率(频率匹配)、振荡裕度(负阻抗)和激励功率的三项进行评估。
5、如果你要用到USB通信,那用12Mhz,这个做usb0的5mhz或0的48mhz(锁相环升频),都容易实现。如果要用来计时,096MHz或24MHz这类2的N次方,容易被分频,实现精准的计时。
单片机的外部晶振电路是怎么回事,如何计算所选电容的
1、晶振的负载电容CL和两端的接地电容CC2的关系如下:CL=(C1*C2)/(C1+C2)+Cs Cs取值一般为3~6pf;便于设计一般取C1=C的C1=C2=30PF,那么CL的取值一般在18-20pf了。
2、所以晶振必须配有起振电容,但电容的具体大小没有什么 普遍意义上的计算公式,不同芯片的要求不同。(1):因为每一种晶振都有各自的特性,所以最好按制造厂商所提供的数值选择外部元器件。
3、用示波器测量,电容一般取20-30pf。晶体振荡器是指从一块石英晶体上按一定方位角切下薄片(简称为晶片),石英晶体谐振器,简称为石英晶体或晶体、晶振;而在封装内部添加IC组成振荡电路的晶体元件称为晶体振荡器。
4、这个好像没有固定的计算方法,大多靠经验来选择,无源晶振的匹配电容一般最好选择两个不等值的电容,一大一小可以加快起振。在许可范围内尽量选小一些的电容,大些的电容虽有利于振荡的稳定,但会增加起振时间。
晶振的负载电容是怎么计算出来的,有算法的过程吗?
1、负载电容公式=[(Cd*Cg)/(Cd+Cg)]+Cic+△C式中Cd,Cg为分别接在晶振的两个脚上和对地的电容,Cic(集成电路内部电容)+△C(PCB上电容)经验值为3至5pf。
2、其中负载电容CL = Cg*Cd/(Cg+Cd)+Cs;其中Cs为杂散电容,Cg和Cd为我们外部加的两个电容。
3、晶振的负载电容CL和两端的接地电容CC2的关系如下:CL=(C1*C2)/(C1+C2)+Cs Cs取值一般为3~6pf;便于设计一般取C1=C的C1=C2=30PF,那么CL的取值一般在18-20pf了。
4、大家在选择负载电容时,可以按照电容的具体大小计算公式是(C1*C2)/(C1+C2)+24。这个计算公式只是一种方法知道电容的大小,但是最好按照晶振厂家所配对好的负载电容值,这样会减少很多其他干扰。
5、一般的晶振的负载电容为15pF或15pF,如果再考虑元件引脚的等效输入电容,则两个22pF的电容构成晶振的振荡电路就是比较好的选择。
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