如何利用二极管反向饱和电流计算正向电流，二极管反向饱和电流会随什么升高而增加

vip1年前 (2023-08-29)充电站43

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把正向电流随正向电压线性增长时所对应的正向电压，称为二极管的导通电压，用UF来表示。通常，硅管的导通电压约为0.6～0.8V （一般取为0.7V），锗管的导通电压约为0.1～0.3V （一般取为0.2V）。

从正极流向负极。就是从二极管PN结的P区流向N区，在电路图中，二极管“三角形”所指示的方向就是它的正向电流方向。发光二极管的电流方向与电路的电流方向是一致的。并不矛盾。不过，没必要纠结真实电流的方向。

很明显的，20℃提高10℃后是30℃，反向饱和电流比20℃时增加一倍，也就是10微安；30℃后再提高10℃，其反向饱和电流比30℃时再增大一倍，也就是20微安。这是指数关系。

如何利用二极管反向饱和电流计算正向电流，二极管反向饱和电流会随什么升高而增加

限流电阻R可用下式计算：R=（E－UF）/IF 式中E为电源电压，UF为LED的正向压降，IF为LED的正常工作电流。发光二极管的核心部分是由P型半导体和N型半导体组成的晶片，在P型半导体和N型半导体之间有一个过渡层，称为PN结。

发光二极管工作电流计算方法和普通二极管是一样的。

二极管单向导电，反向击穿电压较高，你用万用表量的不是正向电压。虽然发光二极管被反向击穿，但由于电流小，发热不大，这个击穿是可逆的，这与稳压管类似。

1、硅二极管正向管压降0.7V，锗管正向管压降为0.3V，反向饱和电流一般在10e-14A～10e-10A。发光二极管正向管压降为随不同发光颜色而不同。二极管材质/工艺：硅管压降z 锗管dao压降。而同等材质，工艺不同，压降也不同。

2、硅材料二极管的正向导通压降一般为0.5V~2V左右，锗材料二极管的正向导通压降一般为0.2V~0.4V左右，但是做不到零伏（理想状态）。

3、理想二极管正向导通时其降压为：硅材料二极管的压降0.7 V；锗材料二极管为0.3 V。

4、二极管导通电压：二极管正向导通后，它的正向压降基本保持不变（硅管为0.7v，锗管为0.3v）。正常情况下二极管的正向导通压降不可能是0V。

1、开启电压是小于该电压时二极管是不导通的（电流可以忽略）；导通电压是指二极管已经导通了（肯定有无法忽略电流）的正向压降。伏安特性曲线开启电压以下的部分相当于二极管伏安特性曲线中与X轴接近平行的部分。

2、二极管的导通电压是二极管正向导通后，它的正向压降基本保持不变（硅管为0.7v，锗管为0.3v）。正向特性：在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。

3、IR：在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值。VRM：二极管正常工作时所允许的反向电压峰值，通常VRM为VP的三分之二或略小一些。FM：二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。

1、二极管正向电压从0.7V增大15%时，流过电流增大，因为二极管是非线性元件，0.7V正好是硅二极管的导通电压，在这个电压附近，当电压增加15%时，也就是0，这时电子可以在外加电场里面自由移动形成电。

2、只有在输入电压高于5V时二极管才能够导通，U0波形与输入波形相同，其余时刻二极管截止，U0大于5V，如下图图中红笔的部分。理想二极管：就是正向压降为0，反向漏电流为0的二极管，这种二极管只存在于理论研究中。

3、整流二极管有单向导电性，可以将方向交替变换的交流电转换为单一方向的脉冲直流电。限幅二极管两端加正向电压导通后，正向压降基本保持不变，可以将信号的幅度限制在一定的范围内。

4、黑表笔连接的是二极管的正极。把电阻R 0 看作电源内阻，在图甲中画出电源的伏安特性曲线，如图所示。两图线交点的纵横坐标值（0.8V，12mA）的乘积等于二极管消耗的功率， P=UI =1×10 -2 W。

5、发光二极管长脚为正，短脚为负。如果脚一样长，发光二极管里面的大点是负极，小的是正极。有的发光二极管带有一个小平面，靠近小平面的一根引线为负极。

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