电压当量是怎么来的，电压的单位怎么来的

vip1年前 (2023-06-09)充电站207

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UT是温度电压当量，常温下UT=26mv(T=300K)。

二极管中电压当量有什么用应该是与流过二极管中电荷流向时产生的热效应的电压，可称为温度电压当量，来判断二极管的工作时电压电流的工作情况。

q=6×10C)的数值可求得kT/q≈0.026V。该电压与温度有关，用VT表示。在二极管和三极管的研究中，该物理量可以表示扩散系数和迁移率的内在联系，也表示载流子在半导体中定向运动的难易程度。VT=Dp/μp=Dn/μn。

电压当量是怎么来的，电压的单位怎么来的

1、VT≈26mV。三极管的核心是PN结，是两个背对背的PN结。可以是NPN组合，也或以是PNP组合。由于硅NPN型是当下三极管的主流，以下内容主要以硅NPN型三极管为例。三极管不是两个PN结的简单拼凑，两个二极管是组成不了一个三极管的。

2、VT——温度的电压当量，VT=kT/q=T/11600=0.026V，其中k为波耳兹曼常数（38×10–23J/K），T为热力学温度，即绝对温度（300K），q为电子电荷（6×10–19C）。在常温下，VT≈26mV。

3、三极管相当于两个二极管相向而连，但是三极管绝不是两个二极管相向而连。

二极管就其本质而言还是一个电阻，只是导通的时候电阻很小，不导通的时候接近无穷大。而导通时候的电阻会分担一定的电压，所以叫管压降；闭合电路中，由于两点间存在温差而出现的电位差叫做热电压(Thermal voltage)。

VT称为温度的电压当量，与热力学温度成正比，表示为 VT = kT／q 其中 T为热力学温度，单位是K；q是电子的电荷量，；k为玻耳兹曼常数，。

闭合电路中，由于两点间存在温差而出现的电位差叫做热电压(Thermal voltage)。也称为温度电压当量。

温度电压当量，与热力学温度成正比，二极管的温度电压当量表示为：VT = kT／q 其中 T为热力学温度，单位是K，T=t+273，其中t为摄氏温度；q是电子的电荷量；k为玻耳兹曼常数。

UT是温度电压当量，常温下UT=26mv(T=300K)。

VT称为温度的电压当量，与热力学温度成正比，表示为 VT = kT／q 其中 T为热力学温度，单位是K；q是电子的电荷量，；k为玻耳兹曼常数，。

1、Vbeq为发射结的静态压降=0.7V，就是硅PN结的导通压降即0.7V。rbe计算式中出现的26mV，该量是“温度的电压当量”VT，常温（300K，即285℃）时VT=26mV。

2、VT≈26mV。三极管的核心是PN结，是两个背对背的PN结。可以是NPN组合，也或以是PNP组合。由于硅NPN型是当下三极管的主流，以下内容主要以硅NPN型三极管为例。三极管不是两个PN结的简单拼凑，两个二极管是组成不了一个三极管的。

3、错误1：“26(mA)”写错了，应为26mV；错误2：射随器等放大器输入电阻不该用rbe表示，而是用ri表示；错误3：Ie/(β+1)=Ib。

4、晶体管输入电阻一般用符号rbe表示，其中26是温度的电压当量UT，在室温时UT=26mV，分母电流应该是发射极电流Ie，这个估算公式应该写为：rbe=300+（1+β）26(mV)/Ie 其中300表示体电阻，单位是Ω。

5、Ie=Ic+Ib，Ic=β*Ib，所以说看你的电流放大倍数，如果放大倍数很大的话就可以等同，这个公式是用Ie来理解的。

6、IEQ=IBQ+ICQ=IBQ+bIBQ=(1+b)IBQ~=ICQ，两个公式都能用。

VT称为温度的电压当量，与热力学温度成正比，表示为 VT = kT／q 其中 T为热力学温度，单位是K；q是电子的电荷量，；k为玻耳兹曼常数，。

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