怎么控制hbt的频率（如何控制dht）
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动态分频器电路实验报告怎么写
扉页 并非所有的实验报告都有标题页，但是如果讲师想要标题页，那么它应该是一个单独的页面，包括：实验的题目、自己的名字和实验室伙伴的名字、导师的名字、进行实验或提交报告的日期。标题 标题写着做了什么。
将一根导线缠绕在小灯泡的金属侧壁上；将导线的另一端压在电池底部；将小灯泡的底部与电池的上部接触，使小灯炮亮起来。实验结论：通过用导线连接电池和小灯泡可以组装一个电路，使小灯泡发亮。
实验内容 这是实验报告极其重要的内容。要抓住重点，可以从理论和实践两个方面考虑。这部分要写明依据何种原理、定律算法、或操作方法进行实验。详细理论计算过程。实验步骤 只写主要操作步骤，不要照抄实习指导，要简明扼要。
半导体外延生长有哪些方式
1、LED芯片的外延生长通常采用的方法主要有金属有机化学气相沉积(MOCVD)、分子束外延(MBE)和液相外延(LPE)。这些方法均可在适当的衬底上生长出高质量的半导体薄膜。 MOCVD： 这是目前生产LED芯片最常用的方法。
2、外延生长的方法，主要有气相外延和液相外延，也还有分子束外延等。外延生长在半导体材料研制方面应用很广，磁泡材料的发展也应用了外延方法。
3、补充资料：半导体外延生长厚度是500-800微米。通过气相外延沉积的方法在衬底上进行长晶，与最下面的衬底结晶面整齐排列进行生长，新生长的单晶层称为外延层，长了外延片的衬底称为外延片。
4、化学提纯的主要方法有电解、络合、萃取、精馏等，使用最多的是精馏。由于每一种方法都有一定的局限性，因此常使用几种提纯方法相结合的工艺流程以获得合格的材料。
5、生长外延层有多种方法，但采用最多的是气相外延工艺。图1为硅(Si)气相外延的装置原理图。
HBT为什么能提高注入效率
HBT的最大优点就在于发射结的注射效率 (放大系数) 基本上与发射结两边的掺杂浓度无关， 从而可把基区的掺杂浓度做得很高(甚至比发射区的还高)， 这就可以在保证放大系数很大的前提下来提高频率， 从而能进入毫米波段。
晶体管的电流放大系数等于发射结注入效率与基区输运系数的乘积。晶体管基区的掺杂浓度小，是为了提高发射结注入载流子的效率。基区做得很薄，是为了增大载流子渡越基区的输运系数。总之，都是为了提高晶体管的放大性能。
在典型的PeLEDs中，器件通常由电极、电子传输层（ETL）、发射层（EML）和空穴传输层（HTL）组成。良好的能量水平校准是提高电荷注入效率的关键。切相关，因此迫切需要开发有效的方法来增强电荷传输层与EML之间的界面接触。
．异质结注入发光 为了提高载流子注入效率，可以采用异质结。图4表示未加偏置时的异质结能级图，对电子和空穴具有不同高度的势垒。图5表示加正向偏置后，这两个势垒均减小。
异质结双极型晶体管的简介
1、最初称为“宽发射区”晶体管。其主要特点是发射区材料的禁带宽度EgE大于基区材料的禁带宽度EgB。
2、双极型晶体管体积小、重量轻、耗电少、寿命长、可靠性高，已广泛用于广播、电视、通信、雷达、计算机、自控装置、电子仪器、家用电器等领域，起放大、振荡、开关等作用。
3、半导体异质结构的二极管特性非常接近理想二极管。另外，通过调节半导体各材料层的厚度和能带隙，可以改变二极管电流与电压的响应参数。半导体异质结构对半导体技术具有重大影响，是高频晶体管和光电子器件的关键成分。
4、晶体管全称双极型三极管(Bipolar junction transistor，BJT)又称晶体三极管，简称三极管，是一种固体半导体器件，可用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等。
健身达人一定要知道,哪些方法让你的深蹲更给力?
腹式呼吸对深蹲帮助很大，特别是对于那些刚学会腹式呼吸的人。有些人仅仅在学会腹式呼吸后，深蹲的重量就提高了25~50磅。
蹲起。深蹲锻炼价值最大的是蹲起阶段，此阶段注意力集中在腿部，腿部全部用力，同时呼气。头要抬起，想象蹬腿用力使头能向上顶，而不要先抬起臀部后直腰。
正确的深蹲姿势1 深蹲膝盖要不要过脚尖 这其实是涉及到两个不同的深蹲流派，力量举深蹲和健美深蹲。这就像武术中不同流派一样，各说各的牛逼。
建议做哑铃深蹲，一周一次开始做，一次五组，每组控制在12-15个(做到15个力竭)，每组中间休息50s-60s，不大口喘气就行。 深蹲的标准动作 商业健身房里，你很难见到有人在练习深蹲时，既能保持良好的姿势，也能蹲到适当的深度。
无负重深蹲：在开始其他变式之前，应该先学会最基础的动作，为了充分地从其他变式中获得最大限度地好处，同时避免运动损伤。
导致腿粗的原因主要有：腿部脂肪堆积、腿部水肿、腿部肌肉发达。、并不是说健身深蹲就一定能把腿练粗，没有刻苦训练以及饮食、休息等的各种因素也是没法练粗的。想要强劲的大腿，最好是接受ta的围度变化。
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