stm32flash如何建立列表（stm32flash有什么用）
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中断向量表STM32怎样配置
它的中断配置是PA0、PB0、PC0...连到EXTI0，PAPB1等连到EXTI1，以此类推。
首先对栈和堆的大小进行定义，并在代码区的起始处建立中断向量表，其第一个表项是栈 ； 顶地址，第二个表项是复位中断服务入口地址。然后在复位中断服务程序中跳转C/C++标 ； 准实时库的__main函数。
先在B程序代码中修改中断向量表，修改方法，在main函数开始调用NVIC_SetVectorTable(NVIC_VectTab_FLASH， 0x3f000)；来重新配置中断向量表。
无论向量表是否重映射过，复位后都是从0地址的向量表处获取SP和复位入口。0地址处的中断向量表，通常是ROM地址。通常只能通过指定链接地址，然后烧录改写。在一些带升级功能的产品中，通常分为boot和app两部分。
中断向量表需要修改，这样才能把中断向量表重新映射一遍。
中断服务函数你可以理解为产生中断系统所要去调用的函数，用来处理当前中断。中断向量表就是所有中断服务函数的首地址组成的一个数组。
stm32将数组存到flash
写入前，先要确保该扇区是已经擦除的，STM32内部FLASH都是按扇区擦除的，不同型号，扇区大小不同，有些型号，不同扇区的大小也不一样，看数据手册。擦除后写入，然后可以上锁。
stm32内部flash存参数好。内部Flash存储参数具有以下几个优点：持久性：内部Flash是一种非易失性存储器，意味着保存在其中的参数在断电后依然可以保持。
stm32f4discovery_fw\STM32F4-Discovery_FW_V0\Project\Peripheral_Examples\FLASH_Program 103的基本上差不多 注意一下，你的配置数据存放的地址不用包括在编译器link的范围之内，会出问题的。
请教有关STM32操作内部flash的问题
stm32写内部flash需要延迟。根据查询相关公开信息显示，配置STM32H7程序的时候我们基本都会给Flash配置个延迟周期。这是因为H7所带的Flash速度在0延迟周期时，仅支持70MHz时钟。
可编程性：STM32的内部Flash可以通过编程方式进行擦写和写入操作，因此可以方便地更新参数或配置。速度快：内部Flash存储器速度相对较快，可以快速读取或写入参数数据，适合在实时应用中使用。
使用Flash模块调用Flash操作函数，大概顺序是先解锁flash，在擦除，接着写入，最后在上锁的顺序。注意点在于：写入flash的代入地址要合法，也就是在正确范围内（详情见技术手册）。每次擦除flash单位为1kb或2kb。
直接写入内部flash应该是没法做的，但是写入外部的SPI接口flash倒是可以。一般ADC采样数据使用DMA传输数据，ADC设置为数据源，目的地设置为内存或外部flash或其他存储器。采样DMA方式时，目的地一般没法直接设置为内部flash。
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